在评审过程中，专家组认真听取项目团队详细汇报，仔细审阅技术资料，并围绕关键技术展开了深入讨论与分析。经过独立打分和综合评议，最终形成了明确的评价结论。

碳化硅电阻炉项目成果

在“8吋/12吋碳化硅电阻炉及工艺成套技术”项目中，连科半导体联合浙江大学等单位，率先在行业内推出了直流双电源加热器与双温区热场结构的创新方案。相比传统设备，系统加热功率降低了35%，降至28kW以内；同时开发了高精度控制软件，实现了对气体流量和压力的精准控制，有效保障了8吋/12吋 SiC 单晶的稳定生长。

该项目技术难度高、复杂性大，目前已在多家碳化硅衬底企业实现推广应用，带来了显著的经济与社会效益，单晶厚度达到5 cm以上。专家组一致认为，项目整体技术水平达到国际领先水平。

200mm区熔炉项目成果

在“200mm区熔硅单晶炉成套技术”项目中，连科半导体独创了下主轴与密封内衬分别由伺服电机驱动并同步耦合控制的新技术，并提出了基于第二相机的熔化流量测量与控制新思路，成功攻克了主轴高精密加工与装配等关键技术难题。

通过关键技术突破—样机示范—产业化应用，项目构建了完整的技术链条。目前，该技术已在有研半导体硅材料股份公司成功量产并实现稳定运行，具有良好的技术重现性与成熟度。
经专家组评定，该项目同样被认定为整体技术达到国际领先水平。

公司发展与展望

连科半导体自成立以来，始终致力于半导体装备自主研发与创新，多项成果已处于行业先进水平，并获得天岳先进首届优秀供应商奖及SEMI可持续发展杰出贡献奖。
本次两项科技成果同时获评国际领先，充分彰显了连科半导体在高端半导体设备领域的强大研发实力。

未来，连科半导体将持续加大研发投入、深化技术创新，积极助力半导体装备国产化进程，为推动我国半导体产业高质量发展贡献更大力量。