CN / EN
NEWS CENTER
新闻中心
长飞先进武汉基地通线投产,首片6英寸碳化硅晶圆下线
发布时间:2025.05.30 浏览次数:84

  该项目总投资预计超过200亿元,其中一期总投资80亿元,聚焦第三代半导体功率器件的研发与生产,规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆。项目于2023年9月1日破土动工,2024年6月完成主体结构封顶,并于2024年12月迎来首批设备搬入。根据最新消息,该项目目前已进入设备最后调试阶段,预计2025年4月底、5月初可实现量产通线,较原计划有所提前。项目达产后,将有效缓解国内新能源汽车高端芯片需求。

  此外,光谷正规划建设7平方公里存储器产业创新街区、14平方公里化合物半导体产业创新街区,每年提供100万平方米高标准厂房,组建光谷高质量发展基金,新增覆盖天使基金、创投、并购等全生命周期的母子基金集群,重点投向集成电路等光电子信息产业领域。